SGM100HF12A1TFDT4 Todos los transistores

 

SGM100HF12A1TFDT4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGM100HF12A1TFDT4
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100(80C) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 460 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 560 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGM100HF12A1TFDT4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:669K  silan
sgm100hf12a1tfdt4.pdf pdf_icon

SGM100HF12A1TFDT4

SGM100HF12A1TFDT4 100A1200V IGBT SGM100HF12A1TFDT4 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A1 DBC

 0.2. Size:403K  silan
sgm100hf12a1tfd.pdf pdf_icon

SGM100HF12A1TFDT4

SGM100HF12A1TFD 100A, 1200V IGBT 0B SGM100HF12A1TFD 1B 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A1 DBC

 3.1. Size:388K  silan
sgm100hf12a3tfd.pdf pdf_icon

SGM100HF12A1TFDT4

SGM100HF12A3TFD 100A1200V IGBT 0B SGM100HF12A3TFD 1B 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A3 DBC

Otros transistores... XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , FGPF4533 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , SGM40HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 .

History: TGH40N65F2DS | IRGI4086 | YGW15N120T3 | FGW25N120VD | MM75G3T65B | HM20N120TB

 

 
Back to Top

 


 
.