Справочник IGBT. SGM100HF12A1TFDT4

 

SGM100HF12A1TFDT4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGM100HF12A1TFDT4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100(80C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 460 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SGM100HF12A1TFDT4

 

 

SGM100HF12A1TFDT4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:669K  silan
 sgm100hf12a1tfdt4.pdf

SGM100HF12A1TFDT4 SGM100HF12A1TFDT4

SGM100HF12A1TFDT4 100A1200V IGBT SGM100HF12A1TFDT4 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A1 DBC

 0.2. Size:403K  silan
 sgm100hf12a1tfd.pdf

SGM100HF12A1TFDT4 SGM100HF12A1TFDT4

SGM100HF12A1TFD 100A, 1200V IGBT 0B SGM100HF12A1TFD 1B 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A1 DBC

 3.1. Size:388K  silan
 sgm100hf12a3tfd.pdf

SGM100HF12A1TFDT4 SGM100HF12A1TFDT4

SGM100HF12A3TFD 100A1200V IGBT 0B SGM100HF12A3TFD 1B 100A1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A3 DBC

Другие IGBT... XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , IRG4PC40W , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , SGM40HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 .

 

 
Back to Top