SGM100HF12A1TFDT4 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SGM100HF12A1TFDT4
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100(80C) A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 460 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SGM100HF12A1TFDT4
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SGM100HF12A1TFDT4 даташит
sgm100hf12a3tfd.pdf
SGM100HF12A3TFD 100A 1200V IGBT 0B SGM100HF12A3TFD 1B 100A 1200V VCE(sat)( ) =2.1V@IC=100A VCE(sat) A3 DBC
Другие IGBT... XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , IRG7S313U , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , SGM40HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 .
History: YGW40N65F1A1 | TA49052 | SRE60N065FSU
History: YGW40N65F1A1 | TA49052 | SRE60N065FSU
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet