SGM150HF12A3TFD Todos los transistores

 

SGM150HF12A3TFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGM150HF12A3TFD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150(80C) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 123 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1215 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGM150HF12A3TFD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:353K  silan
 sgm150hf12a3tfd.pdf pdf_icon

SGM150HF12A3TFD

SGM150HF12A3TFD 150A, 1200V IGBT SGM150HF12A3TFD 20KHz 150A1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=150A VCE(sat)

 8.1. Size:1403K  nell
 nsgm150gb120b.pdf pdf_icon

SGM150HF12A3TFD

SEMICONDUCTOR48.525 25C2E1 E2 C13-M693+0.3 4- 6.5108+0.514 14 14 2.84-0.5All dimensions in millimeters271517.848+0.362.5+0.5G1 E1E2 G230.930.522.5SEMICONDUCTORRoHS RoHS SEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IXGP12N100 | AUIRGS4062D1 | SGM50PA12A6BTFD

 

 
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