Справочник IGBT. SGM150HF12A3TFD

 

SGM150HF12A3TFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGM150HF12A3TFD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150(80C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 123 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1215 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 707 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SGM150HF12A3TFD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGM150HF12A3TFD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:353K  silan
 sgm150hf12a3tfd.pdf pdf_icon

SGM150HF12A3TFD

SGM150HF12A3TFD 150A, 1200V IGBT SGM150HF12A3TFD 20KHz 150A1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=150A VCE(sat)

 8.1. Size:1403K  nell
 nsgm150gb120b.pdf pdf_icon

SGM150HF12A3TFD

SEMICONDUCTOR48.525 25C2E1 E2 C13-M693+0.3 4- 6.5108+0.514 14 14 2.84-0.5All dimensions in millimeters271517.848+0.362.5+0.5G1 E1E2 G230.930.522.5SEMICONDUCTORRoHS RoHS SEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR

Другие IGBT... XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , IRGP4063 , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , SGM40HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 , SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD .

History: IGC18T120T6L | APT80GP60JDF3 | STGW45HF60WDI

 

 
Back to Top

 


 
.