Справочник IGBT. SGM150HF12A3TFD

 

SGM150HF12A3TFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGM150HF12A3TFD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150(80C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 123 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1215 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGM150HF12A3TFD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:353K  silan
 sgm150hf12a3tfd.pdf pdf_icon

SGM150HF12A3TFD

SGM150HF12A3TFD 150A, 1200V IGBT SGM150HF12A3TFD 20KHz 150A1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=150A VCE(sat)

 8.1. Size:1403K  nell
 nsgm150gb120b.pdf pdf_icon

SGM150HF12A3TFD

SEMICONDUCTOR48.525 25C2E1 E2 C13-M693+0.3 4- 6.5108+0.514 14 14 2.84-0.5All dimensions in millimeters271517.848+0.362.5+0.5G1 E1E2 G230.930.522.5SEMICONDUCTORRoHS RoHS SEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: APT40GP90BG | IRG7PH28UD1

 

 
Back to Top

 


 
.