SGM150HF12A3TFD - аналоги и описание IGBT

 

SGM150HF12A3TFD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGM150HF12A3TFD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150(80C) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 123 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1215 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SGM150HF12A3TFD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGM150HF12A3TFD даташит

 0.1. Size:353K  silan
 sgm150hf12a3tfd.pdf pdf_icon

SGM150HF12A3TFD

SGM150HF12A3TFD 150A, 1200V IGBT SGM150HF12A3TFD 20KHz 150A 1200V VCE(sat)( ) =2.2V@IC=150A VCE(sat)

 8.1. Size:1403K  nell
 nsgm150gb120b.pdf pdf_icon

SGM150HF12A3TFD

SEMICONDUCTOR 48.5 25 25 C2E1 E2 C1 3-M6 93+0.3 4- 6.5 108+0.5 14 14 14 2.8 4-0.5 All dimensions in millimeters 27 15 17.8 48+0.3 62.5+0.5 G1 E1 E2 G2 30.9 30.5 22.5 SEMICONDUCTOR RoHS RoHS SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR

Другие IGBT... XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , GT30F132 , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , SGM40HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 , SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.