SGM150HF12A3TFD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGM150HF12A3TFD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150(80C)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 123
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 1215
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 707
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SGM150HF12A3TFD
SGM150HF12A3TFD Datasheet (PDF)
sgm150hf12a3tfd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SGM150HF12A3TFD 150A, 1200V IGBT SGM150HF12A3TFD 20KHz 150A1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=150A VCE(sat)
nsgm150gb120b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SEMICONDUCTOR48.525 25C2E1 E2 C13-M693+0.3 4- 6.5108+0.514 14 14 2.84-0.5All dimensions in millimeters271517.848+0.362.5+0.5G1 E1E2 G230.930.522.5SEMICONDUCTORRoHS RoHS SEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
![SGM150HF12A3TFD](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SGM150HF12A3TFD](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SGM150HF12A3TFD](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ