SGM200HF12A3TFD Todos los transistores

 

SGM200HF12A3TFD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGM200HF12A3TFD

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200(80C) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 285 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3600 pF

Encapsulados: MODULE

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SGM200HF12A3TFD datasheet

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 8.1. Size:1383K  nell
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SGM200HF12A3TFD

SEMICONDUCTOR 5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss 48.5 25 25 C2E1 E2 C1 3-M6 93+0.3 4- 6.5 108+0.5 14 14 14 2.8 4-0.5 All dimensions in millimeters 27 15 17.8 48+0.3 62.5+0.5 G1 E1 E2 G2 30.9 30.5 22.5 SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR

 9.1. Size:71K  sony
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SGM200HF12A3TFD

SGM2014AM Preliminary GaAs N-channel Dual Gate MES FET Description The SGM2014AM is an N-channel dual gate GaAs MES FET for UHF band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including TV tuners, cellular radios, and DBS IF amplifiers. Features Low voltage operation Low noise NF = 1.5dB (typ.) at 900MHz High gain Ga = 18dB (typ.) at

 9.2. Size:51K  sony
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SGM200HF12A3TFD

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History: SII200N12 | STGWA20IH65DF | SII75N12 | SGL40N150D | TGAN40S160FD | SRE40N065FSUDG | YGW50N120FP

 

 

 

 

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