Справочник IGBT. SGM200HF12A3TFD

 

SGM200HF12A3TFD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGM200HF12A3TFD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200(80C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 285 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3600 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SGM200HF12A3TFD

 

 

SGM200HF12A3TFD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:408K  silan
 sgm200hf12a3tfd.pdf

SGM200HF12A3TFD SGM200HF12A3TFD

SGM200HF12A3TFD 200A, 1200V IGBT 0B SGM200HF12A3TFD 1B 200A1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=200A VCE(sat) DBC A3

 8.1. Size:1383K  nell
 nsgm200gb120b.pdf

SGM200HF12A3TFD SGM200HF12A3TFD

SEMICONDUCTOR5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss48.525 25C2E1 E2 C13-M693+0.3 4- 6.5108+0.514 14 14 2.84-0.5All dimensions in millimeters271517.848+0.362.5+0.5G1 E1E2 G230.930.522.5SEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR

 9.1. Size:71K  sony
 sgm2014am.pdf

SGM200HF12A3TFD SGM200HF12A3TFD

SGM2014AMPreliminaryGaAs N-channel Dual Gate MES FETDescriptionThe SGM2014AM is an N-channel dual gate GaAsMES FET for UHF band low-noise amplification.This FET is suitable for a wide range of applicationsincluding TV tuners, cellular radios, and DBS IFamplifiers.Features Low voltage operation Low noise: NF = 1.5dB (typ.) at 900MHz High gain: Ga = 18dB (typ.) at

 9.2. Size:51K  sony
 sgm2014.pdf

SGM200HF12A3TFD SGM200HF12A3TFD

SGM2014ANPreliminaryGaAs N-channel Dual Gate MES FETDescriptionM-281The SGM2014AN is an N-channel dual gate GaAsMES FET for UHF band low-noise amplification.This FET is suitable for a wide range of applicationsincluding TV tuners, cellular radios, and DBS IFamplifiers.Features Ultra small package Low voltage operation Low noise: NF = 1.5dB (typ.) at 900MHz

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top