Справочник IGBT. SGM200HF12A3TFD

 

SGM200HF12A3TFD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGM200HF12A3TFD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200(80C)
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 125
   Время нарастания типовое (tr), nS: 285
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 3600
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 1494
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SGM200HF12A3TFD

 

 

SGM200HF12A3TFD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:408K  silan
 sgm200hf12a3tfd.pdf

SGM200HF12A3TFD SGM200HF12A3TFD

SGM200HF12A3TFD 200A, 1200V IGBT 0B SGM200HF12A3TFD 1B 200A1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=200A VCE(sat) DBC A3

 8.1. Size:1383K  nell
 nsgm200gb120b.pdf

SGM200HF12A3TFD SGM200HF12A3TFD

SEMICONDUCTOR5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss48.525 25C2E1 E2 C13-M693+0.3 4- 6.5108+0.514 14 14 2.84-0.5All dimensions in millimeters271517.848+0.362.5+0.5G1 E1E2 G230.930.522.5SEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR

 9.1. Size:71K  sony
 sgm2014am.pdf

SGM200HF12A3TFD SGM200HF12A3TFD

SGM2014AMPreliminaryGaAs N-channel Dual Gate MES FETDescriptionThe SGM2014AM is an N-channel dual gate GaAsMES FET for UHF band low-noise amplification.This FET is suitable for a wide range of applicationsincluding TV tuners, cellular radios, and DBS IFamplifiers.Features Low voltage operation Low noise: NF = 1.5dB (typ.) at 900MHz High gain: Ga = 18dB (typ.) at

 9.2. Size:51K  sony
 sgm2014.pdf

SGM200HF12A3TFD SGM200HF12A3TFD

SGM2014ANPreliminaryGaAs N-channel Dual Gate MES FETDescriptionM-281The SGM2014AN is an N-channel dual gate GaAsMES FET for UHF band low-noise amplification.This FET is suitable for a wide range of applicationsincluding TV tuners, cellular radios, and DBS IFamplifiers.Features Ultra small package Low voltage operation Low noise: NF = 1.5dB (typ.) at 900MHz

Другие IGBT... XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , FGPF4533 , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , SGM40HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 , SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 .

 

 
Back to Top