SGM25PA12A8TFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SGM25PA12A8TFD
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Máxima potencia disipada (Pc), W: 275
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 25(100C)
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.1
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7.2
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 110
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 210
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 280
   Paquete / Cubierta: MODULE

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