SGM25PA12A8TFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGM25PA12A8TFD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 275 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25(100C) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.2 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 110 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 210 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 280 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SGM25PA12A8TFD IGBT
SGM25PA12A8TFD Datasheet (PDF)
sgm25pa12a8tfd.pdf
SGM25PA12A8TFD 25A/1200V IGBT SGM25PA12A8TFD 25A/1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=25A VCE(sat) A8 DBC
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History: MG75U12MRGJ | OST50N65HXF | IXGM25N100 | IXSH50N60B | BLG75T65FDK-F | NGTB40N120LWG | AOB5B65M1
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Liste
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