SGM25PA12A8TFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGM25PA12A8TFD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25(100C) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.2 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 110 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 280 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SGM25PA12A8TFD
SGM25PA12A8TFD Datasheet (PDF)
..1. Size:551K silan
sgm25pa12a8tfd.pdf
sgm25pa12a8tfd.pdf
SGM25PA12A8TFD 25A/1200V IGBT SGM25PA12A8TFD 25A/1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=25A VCE(sat) A8 DBC
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: OST40N120HEMF | MIXG180W1200TEH | IKD15N60RF
History: OST40N120HEMF | MIXG180W1200TEH | IKD15N60RF
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955