Справочник IGBT. SGM25PA12A8TFD

 

SGM25PA12A8TFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGM25PA12A8TFD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25(100C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 110 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGM25PA12A8TFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:551K  silan
sgm25pa12a8tfd.pdfpdf_icon

SGM25PA12A8TFD

SGM25PA12A8TFD 25A/1200V IGBT SGM25PA12A8TFD 25A/1200VVCE(sat)( ) =2.1V@IC=25A VCE(sat) A8 DBC

Другие IGBT... XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , IRGP4063 , SGM35PA12A6BTFD , SGM40HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 , SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 , SGM75HF12A1TFDT4 .

History: CM400DY-66H | SL25T120FL | MMG100J060U | APTGF330SK60D3 | DIM800DCS12-A | IKD15N60RF

 

 
Back to Top

 


 
.