SGM35PA12A6BTFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGM35PA12A6BTFD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 260 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 35(100C) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 720 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
SGM35PA12A6BTFD Datasheet (PDF)
sgm35pa12a6btfd.pdf
SGM35PA12A6BTFD 35A/1200V IGBT SGM35PA12A6BTFD 35A/1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=35A VCE(sat) A6B DBC
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: FGL40N120AND | OST80N65HMF | CPV364M4KPBF | SSG55N60M | OST75N65HSXF | MMG50A120B7HN | IRG4PC30U
History: FGL40N120AND | OST80N65HMF | CPV364M4KPBF | SSG55N60M | OST75N65HSXF | MMG50A120B7HN | IRG4PC30U
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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