SGM35PA12A6BTFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGM35PA12A6BTFD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 260 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 35(100C) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 720 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SGM35PA12A6BTFD IGBT
SGM35PA12A6BTFD Datasheet (PDF)
sgm35pa12a6btfd.pdf
SGM35PA12A6BTFD 35A/1200V IGBT SGM35PA12A6BTFD 35A/1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=35A VCE(sat) A6B DBC
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History: FGL40N120AND | STGW25S120DF3
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