SGM35PA12A6BTFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGM35PA12A6BTFD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 260
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 35(100C)
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.2
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7.2
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 150
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 720
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 420
Paquete / Cubierta: MODULE
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SGM35PA12A6BTFD Datasheet (PDF)
sgm35pa12a6btfd.pdf
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SGM35PA12A6BTFD 35A/1200V IGBT SGM35PA12A6BTFD 35A/1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=35A VCE(sat) A6B DBC
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