SGM35PA12A6BTFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGM35PA12A6BTFD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35(100C) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 720 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SGM35PA12A6BTFD
SGM35PA12A6BTFD Datasheet (PDF)
0.1. Size:1258K silan
sgm35pa12a6btfd.pdf
sgm35pa12a6btfd.pdf
SGM35PA12A6BTFD 35A/1200V IGBT SGM35PA12A6BTFD 35A/1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=35A VCE(sat) A6B DBC
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: DGTD120T40S1PT | IXGP20N60B
History: DGTD120T40S1PT | IXGP20N60B
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35