SGM35PA12A6BTFD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGM35PA12A6BTFD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 260
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 35(100C)
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.2
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 150
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 720
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 420
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SGM35PA12A6BTFD

 

 

SGM35PA12A6BTFD Datasheet (PDF)

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .