2SH15 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SH15
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 350 nS
Paquete / Cubierta: TO3P
- Selección de transistores por parámetros
2SH15 Datasheet (PDF)
2sh15.pdf

ADE208288 (Z)2SH15Silicon N-Channel IGBT1st. EditionFeb. 1995ApplicationTO3PHigh speed power switchingFeatures2 High speed switching Low on saturation voltage11. Gate2. Collector132 3. Emitter3Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings Unit
Otros transistores... 2N6978 , 2PG352 , 2PG401 , 2PG402 , 2SH11 , 2SH12 , 2SH13 , 2SH14 , TGPF30N43P , 2SH16 , 2SH17 , 2SH18 , 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 .
History: IGB15N65S5 | SM2G100US60 | FGPF4565 | APT33GF120B2RD | MMG100S120B6C | 4MBI400VG-060R-50
History: IGB15N65S5 | SM2G100US60 | FGPF4565 | APT33GF120B2RD | MMG100S120B6C | 4MBI400VG-060R-50



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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