2SH15 - аналоги и описание IGBT

 

2SH15 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 2SH15

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 350 nS

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для 2SH15

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2SH15 даташит

 ..1. Size:46K  hitachi
 2sh15.pdf pdf_icon

2SH15

ADE 208 288 (Z) 2SH15 Silicon N-Channel IGBT 1st. Edition Feb. 1995 Application TO 3P High speed power switching Features 2 High speed switching Low on saturation voltage 1 1. Gate 2. Collector 1 3 2 3. Emitter 3 Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit

Другие IGBT... 2N6978 , 2PG352 , 2PG401 , 2PG402 , 2SH11 , 2SH12 , 2SH13 , 2SH14 , CRG75T60AK3HD , 2SH16 , 2SH17 , 2SH18 , 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 .

History: 2SH16

 

 

 

 

↑ Back to Top
.