SGM40HF12A1TFD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGM40HF12A1TFD 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40(100C) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 154 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 789 pF

Encapsulados: MODULE

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SGM40HF12A1TFD datasheet

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