SGM40HF12A1TFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGM40HF12A1TFD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40(100C) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 154 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 789 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 413 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SGM40HF12A1TFD - IGBT
SGM40HF12A1TFD Datasheet (PDF)
sgm40hf12a1tfd.pdf
SGM40HF12A1TFD 40A, 1200V IGBT SGM40HF12A1TFD , 40A1200VVCE(sat)( ) =2.6V@IC=40A VCE(sat) A1 DBC
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Liste
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