SGM40HF12A1TFD - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SGM40HF12A1TFD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40(100C) A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 154 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 789 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SGM40HF12A1TFD
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SGM40HF12A1TFD даташит
Другие IGBT... XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , GT30F124 , SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 , SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 , SGM75HF12A1TFDT4 , SGM75HF12A1TLD , SGT15T60QD1F .
History: YGW40N65F1A1 | TA49052 | SRE60N065FSU
History: YGW40N65F1A1 | TA49052 | SRE60N065FSU
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117