SGM40HF12A1TFD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGM40HF12A1TFD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40(100C)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 154
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 789
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 413
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SGM40HF12A1TFD
SGM40HF12A1TFD Datasheet (PDF)
..1. Size:244K silan
sgm40hf12a1tfd.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
sgm40hf12a1tfd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SGM40HF12A1TFD 40A, 1200V IGBT SGM40HF12A1TFD , 40A1200VVCE(sat)( ) =2.6V@IC=40A VCE(sat) A1 DBC
Другие IGBT... XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , GT30F124 , SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 , SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 , SGM75HF12A1TFDT4 , SGM75HF12A1TLD , SGT15T60QD1F .
![SGM40HF12A1TFD](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SGM40HF12A1TFD](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SGM40HF12A1TFD](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ