SGM40HF12A1TFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGM40HF12A1TFD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40(100C) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 154 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 789 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SGM40HF12A1TFD Datasheet (PDF)
..1. Size:244K silan
sgm40hf12a1tfd.pdf
sgm40hf12a1tfd.pdf
SGM40HF12A1TFD 40A, 1200V IGBT SGM40HF12A1TFD , 40A1200VVCE(sat)( ) =2.6V@IC=40A VCE(sat) A1 DBC
Другие IGBT... XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , GT30F124 , SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 , SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 , SGM75HF12A1TFDT4 , SGM75HF12A1TLD , SGT15T60QD1F .
History: HCKW25N120H2 | IRGSL10B60KD | APT30GN60BG | OST25N65PMF | HCKD5N65BM2
History: HCKW25N120H2 | IRGSL10B60KD | APT30GN60BG | OST25N65PMF | HCKD5N65BM2
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117