SGM50HF12A1TFDT4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGM50HF12A1TFDT4
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 235
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 50(80C)
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 125
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 30
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 260
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 420
Paquete / Cubierta: MODULE
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SGM50HF12A1TFDT4 Datasheet (PDF)
sgm50hf12a1tfd.pdf
SGM50HF12A1TFD 50A, 1200V IGBT SGM50HF12A1TFD , 20KHz 50A1200VVCE(sat)( ) =1.7V@IC=50A VCE(sat)
sgm50hf12a1tfdt4.pdf
SGM50HF12A1TFDT4 50A1200V IGBT SGM50HF12A1TFDT4 50A1200VVCE(sat)( ) =2.0V@IC=50A VCE(sat) A1 DBC
sgm50pa12a6btfd.pdf
SGM50PA12A6BTFD 50A/1200V IGBT SGM50PA12A6BTFD 50A/1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=50A VCE(sat) A6B DBC
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Liste
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