SGM50HF12A1TFDT4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGM50HF12A1TFDT4
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50(80C) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 260 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SGM50HF12A1TFDT4 Datasheet (PDF)
sgm50hf12a1tfd.pdf
SGM50HF12A1TFD 50A, 1200V IGBT SGM50HF12A1TFD , 20KHz 50A1200VVCE(sat)( ) =1.7V@IC=50A VCE(sat)
sgm50hf12a1tfdt4.pdf
SGM50HF12A1TFDT4 50A1200V IGBT SGM50HF12A1TFDT4 50A1200VVCE(sat)( ) =2.0V@IC=50A VCE(sat) A1 DBC
sgm50pa12a6btfd.pdf
SGM50PA12A6BTFD 50A/1200V IGBT SGM50PA12A6BTFD 50A/1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=50A VCE(sat) A6B DBC
Другие IGBT... SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , SGM40HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFD , FGH40N60UFD , SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 , SGM75HF12A1TFDT4 , SGM75HF12A1TLD , SGT15T60QD1F , SGT20T60SDM1P7 , SGT25T120FD1P7 .
History: TA49115 | IXGN50N60BD3 | OST75N65HSNF | APT15GP90KG | YGW40N120T3 | NGTB30N120IHRWG | AUIRGSL4062D1
History: TA49115 | IXGN50N60BD3 | OST75N65HSNF | APT15GP90KG | YGW40N120T3 | NGTB30N120IHRWG | AUIRGSL4062D1
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050