SGM50PA12A6BTFD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGM50PA12A6BTFD 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 263 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50(100C) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 122 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 670 pF

Encapsulados: MODULE

📄📄 Copiar

Búsqueda de reemplazo de SGM50PA12A6BTFD IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SGM50PA12A6BTFD datasheet

0.1. Size:1248K silan
sgm50pa12a6btfd.pdf pdf_icon

9.1. Size:640K silan
sgm50hf12a1tfdt4.pdf pdf_icon

SGM50HF12A1TFDT4 50A 1200V IGBT SGM50HF12A1TFDT4 50A 1200V VCE(sat)( ) =2.0V@IC=50A VCE(sat) A1 DBC

9.2. Size:356K silan
sgm50hf12a1tfd.pdf pdf_icon

SGM50HF12A1TFD 50A, 1200V IGBT SGM50HF12A1TFD , 20KHz 50A 1200V VCE(sat)( ) =1.7V@IC=50A VCE(sat)