SGM50PA12A6BTFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGM50PA12A6BTFD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 263 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50(100C) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 122 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 670 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 430 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SGM50PA12A6BTFD IGBT
SGM50PA12A6BTFD Datasheet (PDF)
sgm50pa12a6btfd.pdf
SGM50PA12A6BTFD 50A/1200V IGBT SGM50PA12A6BTFD 50A/1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=50A VCE(sat) A6B DBC
sgm50hf12a1tfdt4.pdf
SGM50HF12A1TFDT4 50A1200V IGBT SGM50HF12A1TFDT4 50A1200VVCE(sat)( ) =2.0V@IC=50A VCE(sat) A1 DBC
sgm50hf12a1tfd.pdf
SGM50HF12A1TFD 50A, 1200V IGBT SGM50HF12A1TFD , 20KHz 50A1200VVCE(sat)( ) =1.7V@IC=50A VCE(sat)
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