SGM50PA12A6BTFD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGM50PA12A6BTFD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 263
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50(100C)
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 122
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 670
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 430
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SGM50PA12A6BTFD

 

 

SGM50PA12A6BTFD Datasheet (PDF)

Другие IGBT... SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , SGM40HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 , GT50JR22 , SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 , SGM75HF12A1TFDT4 , SGM75HF12A1TLD , SGT15T60QD1F , SGT20T60SDM1P7 , SGT25T120FD1P7 , SGT25U120FD1P7 .