SGM50PA12A6BTFD - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SGM50PA12A6BTFD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 263 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50(100C) A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 122 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 670 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SGM50PA12A6BTFD
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SGM50PA12A6BTFD даташит
sgm50hf12a1tfdt4.pdf
SGM50HF12A1TFDT4 50A 1200V IGBT SGM50HF12A1TFDT4 50A 1200V VCE(sat)( ) =2.0V@IC=50A VCE(sat) A1 DBC
sgm50hf12a1tfd.pdf
SGM50HF12A1TFD 50A, 1200V IGBT SGM50HF12A1TFD , 20KHz 50A 1200V VCE(sat)( ) =1.7V@IC=50A VCE(sat)
Другие IGBT... SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , SGM40HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 , MBQ60T65PES , SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 , SGM75HF12A1TFDT4 , SGM75HF12A1TLD , SGT15T60QD1F , SGT20T60SDM1P7 , SGT25T120FD1P7 , SGT25U120FD1P7 .
History: STGW75H65DFB2-4 | SHD724602
History: STGW75H65DFB2-4 | SHD724602
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668