Справочник IGBT. SGM50PA12A6BTFD

 

SGM50PA12A6BTFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGM50PA12A6BTFD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 263 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50(100C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 122 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 670 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 430 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGM50PA12A6BTFD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1248K  silan
 sgm50pa12a6btfd.pdf pdf_icon

SGM50PA12A6BTFD

SGM50PA12A6BTFD 50A/1200V IGBT SGM50PA12A6BTFD 50A/1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=50A VCE(sat) A6B DBC

 9.1. Size:640K  silan
 sgm50hf12a1tfdt4.pdf pdf_icon

SGM50PA12A6BTFD

SGM50HF12A1TFDT4 50A1200V IGBT SGM50HF12A1TFDT4 50A1200VVCE(sat)( ) =2.0V@IC=50A VCE(sat) A1 DBC

 9.2. Size:356K  silan
 sgm50hf12a1tfd.pdf pdf_icon

SGM50PA12A6BTFD

SGM50HF12A1TFD 50A, 1200V IGBT SGM50HF12A1TFD , 20KHz 50A1200VVCE(sat)( ) =1.7V@IC=50A VCE(sat)

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top

 


 
.