SGM75HF12A1TFD1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGM75HF12A1TFD1 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75(80C) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 720 pF

Encapsulados: MODULE

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Búsqueda de reemplazo de SGM75HF12A1TFD1 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SGM75HF12A1TFD1 datasheet

..1. Size:340K silan
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SGM75HF12A1TFD 75A, 1200V IGBT SGM75HF12A1TFD , 20KHz 75A, 1200V, VCE(sat)( ) =2.1V@IC=75A VCE(sat) DB

0.1. Size:688K silan
sgm75hf12a1tfd1.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TFD 75A 1200V IGBT SGM75HF12A1TFD 75A 1200V VCE(sat)( ) =2.2V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC

0.2. Size:736K silan
sgm75hf12a1tfdt4.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TFDT4 75A 1200V IGBT SGM75HF12A1TFDT4 75A 1200V VCE(sat)( ) =1.98V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC

2.1. Size:600K silan
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