Справочник IGBT. SGM75HF12A1TFD1

 

SGM75HF12A1TFD1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGM75HF12A1TFD1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75(80C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 720 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 530 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SGM75HF12A1TFD1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGM75HF12A1TFD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  silan
 sgm75hf12a1tfd.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TFD1

SGM75HF12A1TFD 75A, 1200V IGBT SGM75HF12A1TFD , 20KHz 75A, 1200V, VCE(sat)( ) =2.1V@IC=75A VCE(sat) DB

 0.1. Size:688K  silan
 sgm75hf12a1tfd1.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TFD1

SGM75HF12A1TFD 75A1200V IGBT SGM75HF12A1TFD 75A1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC

 0.2. Size:736K  silan
 sgm75hf12a1tfdt4.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TFD1

SGM75HF12A1TFDT4 75A1200V IGBT SGM75HF12A1TFDT4 75A1200VVCE(sat)( ) =1.98V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC

 2.1. Size:600K  silan
 sgm75hf12a1tld.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TFD1

SGM75HF12A1TLD 75A, 1200V IGBT SGM75HF12A1TLD , 75A1200VVCE(sat)( ) =2.0V@IC=75A VCE(sat) A1 VCE(sat) DBC TL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , SGM40HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 , SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD , GT50JR22 , SGM75HF12A1TFDT4 , SGM75HF12A1TLD , SGT15T60QD1F , SGT20T60SDM1P7 , SGT25T120FD1P7 , SGT25U120FD1P7 , SGT40N60FD2PN , SGT40N60FD2P7 .

 

 
Back to Top

 


 
.