SGM75HF12A1TLD Todos los transistores

 

SGM75HF12A1TLD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGM75HF12A1TLD
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 357 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75(80C) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 720 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 530 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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SGM75HF12A1TLD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  silan
 sgm75hf12a1tld.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TLD

SGM75HF12A1TLD 75A, 1200V IGBT SGM75HF12A1TLD , 75A1200VVCE(sat)( ) =2.0V@IC=75A VCE(sat) A1 VCE(sat) DBC TL

 2.1. Size:340K  silan
 sgm75hf12a1tfd.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TLD

SGM75HF12A1TFD 75A, 1200V IGBT SGM75HF12A1TFD , 20KHz 75A, 1200V, VCE(sat)( ) =2.1V@IC=75A VCE(sat) DB

 2.2. Size:688K  silan
 sgm75hf12a1tfd1.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TLD

SGM75HF12A1TFD 75A1200V IGBT SGM75HF12A1TFD 75A1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC

 2.3. Size:736K  silan
 sgm75hf12a1tfdt4.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TLD

SGM75HF12A1TFDT4 75A1200V IGBT SGM75HF12A1TFDT4 75A1200VVCE(sat)( ) =1.98V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC

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