SGM75HF12A1TLD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGM75HF12A1TLD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 357
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 75(80C)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.8
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 125
Время нарастания типовое (tr), nS: 100
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 720
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 530
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SGM75HF12A1TLD
SGM75HF12A1TLD Datasheet (PDF)
sgm75hf12a1tld.pdf
SGM75HF12A1TLD 75A, 1200V IGBT SGM75HF12A1TLD , 75A1200VVCE(sat)( ) =2.0V@IC=75A VCE(sat) A1 VCE(sat) DBC TL
sgm75hf12a1tfd.pdf
SGM75HF12A1TFD 75A, 1200V IGBT SGM75HF12A1TFD , 20KHz 75A, 1200V, VCE(sat)( ) =2.1V@IC=75A VCE(sat) DB
sgm75hf12a1tfd1.pdf
SGM75HF12A1TFD 75A1200V IGBT SGM75HF12A1TFD 75A1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC
sgm75hf12a1tfdt4.pdf
SGM75HF12A1TFDT4 75A1200V IGBT SGM75HF12A1TFDT4 75A1200VVCE(sat)( ) =1.98V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC
Другие IGBT... SGM35PA12A6BTFD , SGM40HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 , SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 , SGM75HF12A1TFDT4 , FGPF4536 , SGT15T60QD1F , SGT20T60SDM1P7 , SGT25T120FD1P7 , SGT25U120FD1P7 , SGT40N60FD2PN , SGT40N60FD2P7 , SGT40N60NPFDPN , SGT50T65FD1PN .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ