Справочник IGBT. SGM75HF12A1TLD

 

SGM75HF12A1TLD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGM75HF12A1TLD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75(80C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 720 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 530 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SGM75HF12A1TLD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGM75HF12A1TLD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  silan
 sgm75hf12a1tld.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TLD

SGM75HF12A1TLD 75A, 1200V IGBT SGM75HF12A1TLD , 75A1200VVCE(sat)( ) =2.0V@IC=75A VCE(sat) A1 VCE(sat) DBC TL

 2.1. Size:340K  silan
 sgm75hf12a1tfd.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TLD

SGM75HF12A1TFD 75A, 1200V IGBT SGM75HF12A1TFD , 20KHz 75A, 1200V, VCE(sat)( ) =2.1V@IC=75A VCE(sat) DB

 2.2. Size:688K  silan
 sgm75hf12a1tfd1.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TLD

SGM75HF12A1TFD 75A1200V IGBT SGM75HF12A1TFD 75A1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC

 2.3. Size:736K  silan
 sgm75hf12a1tfdt4.pdf pdf_icon

SGM75HF12A1TLD

SGM75HF12A1TFDT4 75A1200V IGBT SGM75HF12A1TFDT4 75A1200VVCE(sat)( ) =1.98V@IC=75A VCE(sat) A1 DBC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.