SGT20T60SDM1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT20T60SDM1P7
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 20T60SDM1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 46 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 55 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 52 nC
Paquete / Cubierta: TO247
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SGT20T60SDM1P7 Datasheet (PDF)
sgt20t60sdm1p7.pdf
SGT20T60SDM1P7 20600V C2SGT20T60SDM1P7 Field Stop1G UPSSMPS PFC 3E 20A600VVCE(sat)( )=1.7V@IC=20A
sgt20t60sd1f sgt20t60sd1s sgt20t60sd1str sgt20t60sd1p7 sgt20t60sd1fd sgt20t60sd1pn sgt20t60sd1t.pdf
SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN) 20A600V C 21SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)GField Stop III1 UPSSMPS PFC 323TO-3PE 13
sgt20t135qr1p7 sgt20t135qr1pn sgt20t135qr1pt.pdf
SGT20T135QR1P7(PN)(PT) 20A1350V C 2SGT20T135QR1P7/PN/PT 1Reverse ConductingG
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Liste
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