SGT20T60SDM1P7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGT20T60SDM1P7  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 46 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 55 pF

Encapsulados: TO247

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SGT20T60SDM1P7 datasheet

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SGT20T60SDM1P7

SGT20T60SDM1P7 20 600V C 2 SGT20T60SDM1P7 Field Stop 1 G UPS SMPS PFC 3 E 20A 600V VCE(sat)( )=1.7V@IC=20A

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SGT20T60SDM1P7

SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN) 20A 600V C 2 1 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T) G Field Stop III 1 UPS SMPS PFC 3 2 3 TO-3P E 1 3

 8.1. Size:329K  silan
 sgt20t135qr1p7 sgt20t135qr1pn sgt20t135qr1pt.pdf pdf_icon

SGT20T60SDM1P7

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