SGT20T60SDM1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGT20T60SDM1P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 20T60SDM1
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 46
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.7
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 55
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 55
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 52
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGT20T60SDM1P7

 

 

SGT20T60SDM1P7 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 , SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 , SGM75HF12A1TFDT4 , SGM75HF12A1TLD , SGT15T60QD1F , RJP30H2A , SGT25T120FD1P7 , SGT25U120FD1P7 , SGT40N60FD2PN , SGT40N60FD2P7 , SGT40N60NPFDPN , SGT50T65FD1PN , SGT50T65FD1P7 , SGT50T65FD1PS .