SGT20T60SDM1P7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGT20T60SDM1P7  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGT20T60SDM1P7

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGT20T60SDM1P7 даташит

 ..1. Size:519K  silan
 sgt20t60sdm1p7.pdf pdf_icon

SGT20T60SDM1P7

SGT20T60SDM1P7 20 600V C 2 SGT20T60SDM1P7 Field Stop 1 G UPS SMPS PFC 3 E 20A 600V VCE(sat)( )=1.7V@IC=20A

 4.1. Size:412K  silan
 sgt20t60sd1f sgt20t60sd1s sgt20t60sd1str sgt20t60sd1p7 sgt20t60sd1fd sgt20t60sd1pn sgt20t60sd1t.pdf pdf_icon

SGT20T60SDM1P7

SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN) 20A 600V C 2 1 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T) G Field Stop III 1 UPS SMPS PFC 3 2 3 TO-3P E 1 3

 8.1. Size:329K  silan
 sgt20t135qr1p7 sgt20t135qr1pn sgt20t135qr1pt.pdf pdf_icon

SGT20T60SDM1P7

Другие IGBT... SGM50HF12A1TFD, SGM50HF12A1TFDT4, SGM50PA12A6BTFD, SGM75HF12A1TFD, SGM75HF12A1TFD1, SGM75HF12A1TFDT4, SGM75HF12A1TLD, SGT15T60QD1F, IXGH60N60, SGT25T120FD1P7, SGT25U120FD1P7, SGT40N60FD2PN, SGT40N60FD2P7, SGT40N60NPFDPN, SGT50T65FD1PN, SGT50T65FD1P7, SGT50T65FD1PS