SGT20T60SDM1P7 - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги SGT20T60SDM1P7. Основные параметры


   Наименование: SGT20T60SDM1P7
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SGT20T60SDM1P7

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGT20T60SDM1P7 даташит

 ..1. Size:519K  silan
 sgt20t60sdm1p7.pdf pdf_icon

SGT20T60SDM1P7

SGT20T60SDM1P7 20 600V C 2 SGT20T60SDM1P7 Field Stop 1 G UPS SMPS PFC 3 E 20A 600V VCE(sat)( )=1.7V@IC=20A

 4.1. Size:412K  silan
 sgt20t60sd1f sgt20t60sd1s sgt20t60sd1str sgt20t60sd1p7 sgt20t60sd1fd sgt20t60sd1pn sgt20t60sd1t.pdf pdf_icon

SGT20T60SDM1P7

SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN) 20A 600V C 2 1 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T) G Field Stop III 1 UPS SMPS PFC 3 2 3 TO-3P E 1 3

 8.1. Size:329K  silan
 sgt20t135qr1p7 sgt20t135qr1pn sgt20t135qr1pt.pdf pdf_icon

SGT20T60SDM1P7

Другие IGBT... SGM50HF12A1TFD , SGM50HF12A1TFDT4 , SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 , SGM75HF12A1TFDT4 , SGM75HF12A1TLD , SGT15T60QD1F , FGPF4536 , SGT25T120FD1P7 , SGT25U120FD1P7 , SGT40N60FD2PN , SGT40N60FD2P7 , SGT40N60NPFDPN , SGT50T65FD1PN , SGT50T65FD1P7 , SGT50T65FD1PS .

History: SGM75HF12A1TLD | LGM100HF120S2F1A | AU40N120T3A2

 

 

 


 
↑ Back to Top
.