SGT25T120FD1P7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGT25T120FD1P7 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.25 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 63 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 128 pF

Encapsulados: TO247

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Búsqueda de reemplazo de SGT25T120FD1P7 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SGT25T120FD1P7 datasheet

..1. Size:323K silan
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SGT25T120FD1P7 25A 1200V SGT25T120FD1P7 Trench Field Stop UPS SMPS PFC 25A 1200V VCE(sat)( )=2.25V@

9.1. Size:664K silan
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SGT25U120FD1P7 25A 1200V C 2 SGT25U120FD1P7 4 1 Plus Field Stop IV+ G UPS SMPS PFC 3 E 25A 1200V VCE(sat)( )=2.2V@IC=25A