SGT25T120FD1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT25T120FD1P7
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 25T120FD1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 400
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 50
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.25
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 63
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 128
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 120
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SGT25T120FD1P7 - IGBT
SGT25T120FD1P7 Datasheet (PDF)
sgt25t120fd1p7.pdf
SGT25T120FD1P7 25A1200V SGT25T120FD1P7 Trench Field Stop UPSSMPS PFC 25A1200VVCE(sat)( )=2.25V@
sgt25u120fd1p7.pdf
SGT25U120FD1P7 25A1200V C2SGT25U120FD1P7 4 1PlusField Stop IV+G UPSSMPS PFC 3E 25A1200VVCE(sat)( )=2.2V@IC=25A
Otros transistores... SGM50HF12A1TFDT4 , SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 , SGM75HF12A1TFDT4 , SGM75HF12A1TLD , SGT15T60QD1F , SGT20T60SDM1P7 , IXGH60N60 , SGT25U120FD1P7 , SGT40N60FD2PN , SGT40N60FD2P7 , SGT40N60NPFDPN , SGT50T65FD1PN , SGT50T65FD1P7 , SGT50T65FD1PS , SGT50T65FD1PT .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ