SGT25T120FD1P7 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT25T120FD1P7
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.25 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 63 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 128 pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SGT25T120FD1P7 IGBT
Principales características: SGT25T120FD1P7
sgt25t120fd1p7.pdf
SGT25T120FD1P7 25A 1200V SGT25T120FD1P7 Trench Field Stop UPS SMPS PFC 25A 1200V VCE(sat)( )=2.25V@
sgt25u120fd1p7.pdf
SGT25U120FD1P7 25A 1200V C 2 SGT25U120FD1P7 4 1 Plus Field Stop IV+ G UPS SMPS PFC 3 E 25A 1200V VCE(sat)( )=2.2V@IC=25A
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Liste
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