SGT25T120FD1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGT25T120FD1P7
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: 25T120FD1
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 400
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.25
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 63
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 128
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 120
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SGT25T120FD1P7
SGT25T120FD1P7 Datasheet (PDF)
sgt25t120fd1p7.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SGT25T120FD1P7 25A1200V SGT25T120FD1P7 Trench Field Stop UPSSMPS PFC 25A1200VVCE(sat)( )=2.25V@
sgt25u120fd1p7.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SGT25U120FD1P7 25A1200V C2SGT25U120FD1P7 4 1PlusField Stop IV+G UPSSMPS PFC 3E 25A1200VVCE(sat)( )=2.2V@IC=25A
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
![SGT25T120FD1P7](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SGT25T120FD1P7](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SGT25T120FD1P7](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ