SGT25T120FD1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGT25T120FD1P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 25T120FD1
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.25 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 63 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 128 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 120 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGT25T120FD1P7

 

 

SGT25T120FD1P7 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... SGM50HF12A1TFDT4 , SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 , SGM75HF12A1TFDT4 , SGM75HF12A1TLD , SGT15T60QD1F , SGT20T60SDM1P7 , SGT40N60NPFDPN , SGT25U120FD1P7 , SGT40N60FD2PN , SGT40N60FD2P7 , SGT40N60NPFDPN , SGT50T65FD1PN , SGT50T65FD1P7 , SGT50T65FD1PS , SGT50T65FD1PT .