SGT50T65FD1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SGT50T65FD1P7
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: 50T65FD1
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Máxima potencia disipada (Pc), W: 235
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.2
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 145
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 90
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 145
   Paquete / Cubierta: TO247

 Búsqueda de reemplazo de SGT50T65FD1P7 - IGBT

 

SGT50T65FD1P7 Datasheet (PDF)

Otros transistores... SGT15T60QD1F , SGT20T60SDM1P7 , SGT25T120FD1P7 , SGT25U120FD1P7 , SGT40N60FD2PN , SGT40N60FD2P7 , SGT40N60NPFDPN , SGT50T65FD1PN , RJP30H1DPD , SGT50T65FD1PS , SGT50T65FD1PT , SGTP5T60SD1D , SGTP5T60SD1F , SGTP5T60SD1S , AU40N120T3A2 , LGM100HF120S2F1A , LGM400HF65S4T1A .