SGT50T65FD1P7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGT50T65FD1P7 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 235 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 145 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 90 pF

Encapsulados: TO247

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SGT50T65FD1P7 datasheet

..1. Size:510K silan
sgt50t65fd1pn sgt50t65fd1p7.pdf pdf_icon

SGT50T65FD1PN/P7 50A 650V C 2 SGT50T65FD1PN/P7 1 Field Stop IV G UPS,SMPS PFC 3 E 50A 650V VCE(sat)( )=2.0

6.1. Size:314K silan
sgt50t65sdm1p7.pdf pdf_icon

SGT50T65SDM1P7 50A 650V C 2 SGT50T65SDM1P7 1 Field Stop III G UPS SMPS PFC 3 E 50A 650V VCE(sat)( )=1.65V@IC=50A