SGT50T65FD1P7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGT50T65FD1P7  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 145 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGT50T65FD1P7

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGT50T65FD1P7 даташит

 ..1. Size:510K  silan
 sgt50t65fd1pn sgt50t65fd1p7.pdf pdf_icon

SGT50T65FD1P7

SGT50T65FD1PN/P7 50A 650V C 2 SGT50T65FD1PN/P7 1 Field Stop IV G UPS,SMPS PFC 3 E 50A 650V VCE(sat)( )=2.0

 ..2. Size:412K  silan
 sgt50t65fd1pn sgt50t65fd1p7 sgt50t65fd1ps sgt50t65fd1pt.pdf pdf_icon

SGT50T65FD1P7

 ..3. Size:627K  silan
 sgt50t65fd1p7 sgt50t65fd1pn sgt50t65fd1ps sgt50t65fd1pt.pdf pdf_icon

SGT50T65FD1P7

 6.1. Size:314K  silan
 sgt50t65sdm1p7.pdf pdf_icon

SGT50T65FD1P7

SGT50T65SDM1P7 50A 650V C 2 SGT50T65SDM1P7 1 Field Stop III G UPS SMPS PFC 3 E 50A 650V VCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGT15T60QD1F, SGT20T60SDM1P7, SGT25T120FD1P7, SGT25U120FD1P7, SGT40N60FD2PN, SGT40N60FD2P7, SGT40N60NPFDPN, SGT50T65FD1PN, RJP30H2A, SGT50T65FD1PS, SGT50T65FD1PT, SGTP5T60SD1D, SGTP5T60SD1F, SGTP5T60SD1S, AU40N120T3A2, LGM100HF120S2F1A, LGM400HF65S4T1A