SGT50T65FD1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGT50T65FD1P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 50T65FD1
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 235
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 145
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 90
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 145
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGT50T65FD1P7

 

 

SGT50T65FD1P7 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... SGT15T60QD1F , SGT20T60SDM1P7 , SGT25T120FD1P7 , SGT25U120FD1P7 , SGT40N60FD2PN , SGT40N60FD2P7 , SGT40N60NPFDPN , SGT50T65FD1PN , RJP30H1DPD , SGT50T65FD1PS , SGT50T65FD1PT , SGTP5T60SD1D , SGTP5T60SD1F , SGTP5T60SD1S , AU40N120T3A2 , LGM100HF120S2F1A , LGM400HF65S4T1A .