AU40N120T3A2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AU40N120T3A2  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 416 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 190 pF

Encapsulados: TO247

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AU40N120T3A2 datasheet

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AU40N120T3A2

AU40N120T3A2 1200V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 40 A C improved reliability V I =40A 1.75 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10 s Low V CE(SAT) Easy paral

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