AU40N120T3A2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AU40N120T3A2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 416
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.75
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 50
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 190
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 260
Paquete / Cubierta: TO247
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AU40N120T3A2 Datasheet (PDF)
au40n120t3a2.pdf
AU40N120T3A2 1200V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 40 A Cimproved reliability V I =40A 1.75 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10s Low V CE(SAT) Easy paral
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Liste
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