AU40N120T3A2 Todos los transistores

 

AU40N120T3A2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AU40N120T3A2
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 416 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 190 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 260 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de AU40N120T3A2 IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AU40N120T3A2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  cn luxin semi
 au40n120t3a2.pdf pdf_icon

AU40N120T3A2

AU40N120T3A2 1200V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 40 A Cimproved reliability V I =40A 1.75 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10s Low V CE(SAT) Easy paral

Otros transistores... SGT40N60NPFDPN , SGT50T65FD1PN , SGT50T65FD1P7 , SGT50T65FD1PS , SGT50T65FD1PT , SGTP5T60SD1D , SGTP5T60SD1F , SGTP5T60SD1S , GT30G124 , LGM100HF120S2F1A , LGM400HF65S4T1A , YGF15N65T2 , YGK15N65T2 , YGP15N65T2 , YGF20N65T2 , YGK20N65T2 , YGP20N65T2 .

 

 
Back to Top

 


 
.