AU40N120T3A2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: AU40N120T3A2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 190 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для AU40N120T3A2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AU40N120T3A2 даташит

 ..1. Size:429K  cn luxin semi
 au40n120t3a2.pdf pdf_icon

AU40N120T3A2

AU40N120T3A2 1200V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 40 A C improved reliability V I =40A 1.75 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10 s Low V CE(SAT) Easy paral

Другие IGBT... SGT40N60NPFDPN, SGT50T65FD1PN, SGT50T65FD1P7, SGT50T65FD1PS, SGT50T65FD1PT, SGTP5T60SD1D, SGTP5T60SD1F, SGTP5T60SD1S, IKW75N60T, LGM100HF120S2F1A, LGM400HF65S4T1A, YGF15N65T2, YGK15N65T2, YGP15N65T2, YGF20N65T2, YGK20N65T2, YGP20N65T2