Справочник IGBT. AU40N120T3A2

 

AU40N120T3A2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AU40N120T3A2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 190 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 260 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для AU40N120T3A2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AU40N120T3A2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  cn luxin semi
 au40n120t3a2.pdf pdf_icon

AU40N120T3A2

AU40N120T3A2 1200V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 40 A Cimproved reliability V I =40A 1.75 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10s Low V CE(SAT) Easy paral

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.