LGM100HF120S2F1A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LGM100HF120S2F1A  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 577 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100(100C) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS

Encapsulados: MODULE

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LGM100HF120S2F1A datasheet

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LGM100HF120S2F1A

LGM100HF120S2F1A 1200V/100A 2 in one-package Preliminary Data FEATURES VCES = 1200V IC nom = 100A / ICRM = 200A V with positive temperature coefficient CEsat Low switching losses Low inductance case Isolated copper baseplate using DBC technology APPLICATION Welding Machine Switching Mode Power Supplies Equivalent Circuit Schematic IGBT, Inve

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