LGM100HF120S2F1A Todos los transistores

 

LGM100HF120S2F1A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LGM100HF120S2F1A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 577 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100(100C) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

LGM100HF120S2F1A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:444K  cn luxin semi
 lgm100hf120s2f1a.pdf pdf_icon

LGM100HF120S2F1A

LGM100HF120S2F1A 1200V/100A 2 in one-package Preliminary Data FEATURES VCES = 1200V IC nom = 100A / ICRM = 200A V with positive temperature coefficient CEsat Low switching losses Low inductance case Isolated copper baseplate using DBC technology APPLICATION Welding Machine Switching Mode Power Supplies Equivalent Circuit Schematic IGBT, Inve

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History: IHW20T120 | APT27GA90BD15 | GT30J127 | APT13GP120KG | SGT10T60SD1S | TGAN20N135FD

 

 
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