LGM100HF120S2F1A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: LGM100HF120S2F1A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 577 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100(100C) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для LGM100HF120S2F1A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

LGM100HF120S2F1A даташит

 0.1. Size:444K  cn luxin semi
 lgm100hf120s2f1a.pdf pdf_icon

LGM100HF120S2F1A

LGM100HF120S2F1A 1200V/100A 2 in one-package Preliminary Data FEATURES VCES = 1200V IC nom = 100A / ICRM = 200A V with positive temperature coefficient CEsat Low switching losses Low inductance case Isolated copper baseplate using DBC technology APPLICATION Welding Machine Switching Mode Power Supplies Equivalent Circuit Schematic IGBT, Inve

Другие IGBT... SGT50T65FD1PN, SGT50T65FD1P7, SGT50T65FD1PS, SGT50T65FD1PT, SGTP5T60SD1D, SGTP5T60SD1F, SGTP5T60SD1S, AU40N120T3A2, RJP30E2DPP-M0, LGM400HF65S4T1A, YGF15N65T2, YGK15N65T2, YGP15N65T2, YGF20N65T2, YGK20N65T2, YGP20N65T2, YGW20N65T2