Справочник IGBT. LGM100HF120S2F1A

 

LGM100HF120S2F1A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: LGM100HF120S2F1A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 577 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100(100C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7(typ) V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 700 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для LGM100HF120S2F1A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

LGM100HF120S2F1A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:444K  cn luxin semi
 lgm100hf120s2f1a.pdf pdf_icon

LGM100HF120S2F1A

LGM100HF120S2F1A 1200V/100A 2 in one-package Preliminary Data FEATURES VCES = 1200V IC nom = 100A / ICRM = 200A V with positive temperature coefficient CEsat Low switching losses Low inductance case Isolated copper baseplate using DBC technology APPLICATION Welding Machine Switching Mode Power Supplies Equivalent Circuit Schematic IGBT, Inve

Другие IGBT... SGT50T65FD1PN , SGT50T65FD1P7 , SGT50T65FD1PS , SGT50T65FD1PT , SGTP5T60SD1D , SGTP5T60SD1F , SGTP5T60SD1S , AU40N120T3A2 , RJP63F3DPP-M0 , LGM400HF65S4T1A , YGF15N65T2 , YGK15N65T2 , YGP15N65T2 , YGF20N65T2 , YGK20N65T2 , YGP20N65T2 , YGW20N65T2 .

History: PDMB100E6 | IGW40T60K

 

 
Back to Top

 


 
.