Справочник IGBT. LGM100HF120S2F1A

 

LGM100HF120S2F1A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: LGM100HF120S2F1A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 577
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100(100C)
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7(typ)
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 120
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 700
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для LGM100HF120S2F1A

 

 

LGM100HF120S2F1A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:444K  cn luxin semi
 lgm100hf120s2f1a.pdf

LGM100HF120S2F1A LGM100HF120S2F1A

LGM100HF120S2F1A 1200V/100A 2 in one-package Preliminary Data FEATURES VCES = 1200V IC nom = 100A / ICRM = 200A V with positive temperature coefficient CEsat Low switching losses Low inductance case Isolated copper baseplate using DBC technology APPLICATION Welding Machine Switching Mode Power Supplies Equivalent Circuit Schematic IGBT, Inve

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top