LGM400HF65S4T1A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LGM400HF65S4T1A
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 1154
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 400(70C)
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.55
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.8(typ)
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 350
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 4200
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de LGM400HF65S4T1A - IGBT
LGM400HF65S4T1A Datasheet (PDF)
lgm400hf65s4t1a.pdf
LGM400HF65S4T1A 650V/400A 2 in one-package FEATURES Preliminary Data V with positive temperature coefficient CEsatVCES = 650V IC nom = 400A / ICRM = 800A Low Vcesat Low switching losses Low inductance case Isolated copper baseplate using DBC technology APPLICATION Welding Machine UPS Motor Drives Equivalent Circuit Schematic htt
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Liste
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