LGM400HF65S4T1A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LGM400HF65S4T1A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1154 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400(70C) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 350 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
LGM400HF65S4T1A Datasheet (PDF)
lgm400hf65s4t1a.pdf

LGM400HF65S4T1A 650V/400A 2 in one-package FEATURES Preliminary Data V with positive temperature coefficient CEsatVCES = 650V IC nom = 400A / ICRM = 800A Low Vcesat Low switching losses Low inductance case Isolated copper baseplate using DBC technology APPLICATION Welding Machine UPS Motor Drives Equivalent Circuit Schematic htt
Otros transistores... SGT50T65FD1P7 , SGT50T65FD1PS , SGT50T65FD1PT , SGTP5T60SD1D , SGTP5T60SD1F , SGTP5T60SD1S , AU40N120T3A2 , LGM100HF120S2F1A , GT30G124 , YGF15N65T2 , YGK15N65T2 , YGP15N65T2 , YGF20N65T2 , YGK20N65T2 , YGP20N65T2 , YGW20N65T2 , YGQ100N65FP .
History: RJP60D0DPE | OST120N65HEMF | HGTG30N60A4 | F3L30R06W1E3_B11 | TGAN20N120FD | STGWT60H60DLFB | BRG25N120D
History: RJP60D0DPE | OST120N65HEMF | HGTG30N60A4 | F3L30R06W1E3_B11 | TGAN20N120FD | STGWT60H60DLFB | BRG25N120D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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