LGM400HF65S4T1A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LGM400HF65S4T1A
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1154 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400(70C) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.8(typ) V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 350 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 4200 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de LGM400HF65S4T1A IGBT
LGM400HF65S4T1A Datasheet (PDF)
lgm400hf65s4t1a.pdf
LGM400HF65S4T1A 650V/400A 2 in one-package FEATURES Preliminary Data V with positive temperature coefficient CEsatVCES = 650V IC nom = 400A / ICRM = 800A Low Vcesat Low switching losses Low inductance case Isolated copper baseplate using DBC technology APPLICATION Welding Machine UPS Motor Drives Equivalent Circuit Schematic htt
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