LGM400HF65S4T1A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LGM400HF65S4T1A  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1154 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400(70C) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 350 nS

Encapsulados: MODULE

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de LGM400HF65S4T1A IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

LGM400HF65S4T1A datasheet

 0.1. Size:534K  cn luxin semi
lgm400hf65s4t1a.pdf pdf_icon

LGM400HF65S4T1A

LGM400HF65S4T1A 650V/400A 2 in one-package FEATURES Preliminary Data V with positive temperature coefficient CEsat VCES = 650V IC nom = 400A / ICRM = 800A Low Vcesat Low switching losses Low inductance case Isolated copper baseplate using DBC technology APPLICATION Welding Machine UPS Motor Drives Equivalent Circuit Schematic htt

Otros transistores... SGT50T65FD1P7, SGT50T65FD1PS, SGT50T65FD1PT, SGTP5T60SD1D, SGTP5T60SD1F, SGTP5T60SD1S, AU40N120T3A2, LGM100HF120S2F1A, CRG60T60AK3HD, YGF15N65T2, YGK15N65T2, YGP15N65T2, YGF20N65T2, YGK20N65T2, YGP20N65T2, YGW20N65T2, YGQ100N65FP