Справочник IGBT. LGM400HF65S4T1A

 

LGM400HF65S4T1A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: LGM400HF65S4T1A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 1154
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 400(70C)
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.8(typ)
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 350
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 4200
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для LGM400HF65S4T1A

 

 

LGM400HF65S4T1A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:534K  cn luxin semi
 lgm400hf65s4t1a.pdf

LGM400HF65S4T1A LGM400HF65S4T1A

LGM400HF65S4T1A 650V/400A 2 in one-package FEATURES Preliminary Data V with positive temperature coefficient CEsatVCES = 650V IC nom = 400A / ICRM = 800A Low Vcesat Low switching losses Low inductance case Isolated copper baseplate using DBC technology APPLICATION Welding Machine UPS Motor Drives Equivalent Circuit Schematic htt

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top