Справочник IGBT. LGM400HF65S4T1A

 

LGM400HF65S4T1A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: LGM400HF65S4T1A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1154 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400(70C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 350 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

LGM400HF65S4T1A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:534K  cn luxin semi
 lgm400hf65s4t1a.pdf pdf_icon

LGM400HF65S4T1A

LGM400HF65S4T1A 650V/400A 2 in one-package FEATURES Preliminary Data V with positive temperature coefficient CEsatVCES = 650V IC nom = 400A / ICRM = 800A Low Vcesat Low switching losses Low inductance case Isolated copper baseplate using DBC technology APPLICATION Welding Machine UPS Motor Drives Equivalent Circuit Schematic htt

Другие IGBT... SGT50T65FD1P7 , SGT50T65FD1PS , SGT50T65FD1PT , SGTP5T60SD1D , SGTP5T60SD1F , SGTP5T60SD1S , AU40N120T3A2 , LGM100HF120S2F1A , GT30G124 , YGF15N65T2 , YGK15N65T2 , YGP15N65T2 , YGF20N65T2 , YGK20N65T2 , YGP20N65T2 , YGW20N65T2 , YGQ100N65FP .

History: APT15GN120SDQ1G | SGTP5T60SD1S | IRGC100B60UB | OST15N65FRF | APT15GP90BG | OST75N65HSMF | IRGP4063D1

 

 
Back to Top

 


 
.