LGM400HF65S4T1A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: LGM400HF65S4T1A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1154 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400(70C) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 350 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для LGM400HF65S4T1A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

LGM400HF65S4T1A даташит

 0.1. Size:534K  cn luxin semi
 lgm400hf65s4t1a.pdf pdf_icon

LGM400HF65S4T1A

LGM400HF65S4T1A 650V/400A 2 in one-package FEATURES Preliminary Data V with positive temperature coefficient CEsat VCES = 650V IC nom = 400A / ICRM = 800A Low Vcesat Low switching losses Low inductance case Isolated copper baseplate using DBC technology APPLICATION Welding Machine UPS Motor Drives Equivalent Circuit Schematic htt

Другие IGBT... SGT50T65FD1P7, SGT50T65FD1PS, SGT50T65FD1PT, SGTP5T60SD1D, SGTP5T60SD1F, SGTP5T60SD1S, AU40N120T3A2, LGM100HF120S2F1A, CRG60T60AK3HD, YGF15N65T2, YGK15N65T2, YGP15N65T2, YGF20N65T2, YGK20N65T2, YGP20N65T2, YGW20N65T2, YGQ100N65FP