YGP15N65T2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YGP15N65T2
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 50 pF
Paquete / Cubierta: TO220
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YGP15N65T2 Datasheet (PDF)
ygf15n65t2 ygk15n65t2 ygp15n65t2.pdf
YGF15N65T2 YGK15N65T2 YGP15N65T2 650V /15A Trench Field Stop IGBT Features Max Junction Temperature 175C V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for improved reliability I 15 A C Short Circuit Rated V I =15A 1.50 V CE(SAT) C Very Low Saturation Voltage: V = 1.50V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications
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Liste
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