YGP15N65T2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YGP15N65T2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 125
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 30
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.4
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 20
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 50
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 45
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de YGP15N65T2 - IGBT
YGP15N65T2 Datasheet (PDF)
ygf15n65t2 ygk15n65t2 ygp15n65t2.pdf
YGF15N65T2 YGK15N65T2 YGP15N65T2 650V /15A Trench Field Stop IGBT Features Max Junction Temperature 175C V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for improved reliability I 15 A C Short Circuit Rated V I =15A 1.50 V CE(SAT) C Very Low Saturation Voltage: V = 1.50V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications
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Liste
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