Справочник IGBT. YGP15N65T2

 

YGP15N65T2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: YGP15N65T2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 125
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.4
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 20
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 50
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 45
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для YGP15N65T2

 

 

YGP15N65T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:522K  cn luxin semi
 ygf15n65t2 ygk15n65t2 ygp15n65t2.pdf

YGP15N65T2 YGP15N65T2

YGF15N65T2 YGK15N65T2 YGP15N65T2 650V /15A Trench Field Stop IGBT Features Max Junction Temperature 175C V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for improved reliability I 15 A C Short Circuit Rated V I =15A 1.50 V CE(SAT) C Very Low Saturation Voltage: V = 1.50V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top