YGP15N65T2 - аналоги и описание IGBT

 

YGP15N65T2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: YGP15N65T2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для YGP15N65T2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

YGP15N65T2 даташит

 ..1. Size:522K  cn luxin semi
 ygf15n65t2 ygk15n65t2 ygp15n65t2.pdf pdf_icon

YGP15N65T2

YGF15N65T2 YGK15N65T2 YGP15N65T2 650V /15A Trench Field Stop IGBT Features Max Junction Temperature 175 C V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for improved reliability I 15 A C Short Circuit Rated V I =15A 1.50 V CE(SAT) C Very Low Saturation Voltage V = 1.50V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications

Другие IGBT... SGTP5T60SD1D , SGTP5T60SD1F , SGTP5T60SD1S , AU40N120T3A2 , LGM100HF120S2F1A , LGM400HF65S4T1A , YGF15N65T2 , YGK15N65T2 , SGT60N60FD1P7 , YGF20N65T2 , YGK20N65T2 , YGP20N65T2 , YGW20N65T2 , YGQ100N65FP , YGW10N120T3 , YGW15N120F1A , YGW15N120T3 .

History: SHD724401 | TA49015 | SHDG1025 | TA49048 | NGTB40N65IHL2 | TA49119 | TA49016

 

 

 

 

↑ Back to Top
.