YGF20N65T2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YGF20N65T2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 30.6 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 50 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 45 nC
Paquete / Cubierta: TO220F
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YGF20N65T2 Datasheet (PDF)
ygf20n65t2 ygk20n65t2 ygp20n65t2 ygw20n65t2.pdf
YGF20N65T2,YGK20N65T2YGP20N65T2,YGW20N65T2 650V /20A Trench Field Stop IGBT Features Max Junction Temperature 175C V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for improved reliability I 20 A C Short Circuit Rated V I =20A 1.65 V CE(SAT) C Very Low Saturation Voltage: V = 1.65V (Typ.) @ I = 20A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms App
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Liste
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