YGF20N65T2 - аналоги и описание IGBT

 

YGF20N65T2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: YGF20N65T2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30.6 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для YGF20N65T2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

YGF20N65T2 даташит

 ..1. Size:601K  cn luxin semi
 ygf20n65t2 ygk20n65t2 ygp20n65t2 ygw20n65t2.pdf pdf_icon

YGF20N65T2

YGF20N65T2,YGK20N65T2 YGP20N65T2,YGW20N65T2 650V /20A Trench Field Stop IGBT Features Max Junction Temperature 175 C V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for improved reliability I 20 A C Short Circuit Rated V I =20A 1.65 V CE(SAT) C Very Low Saturation Voltage V = 1.65V (Typ.) @ I = 20A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms App

Другие IGBT... SGTP5T60SD1F , SGTP5T60SD1S , AU40N120T3A2 , LGM100HF120S2F1A , LGM400HF65S4T1A , YGF15N65T2 , YGK15N65T2 , YGP15N65T2 , IKW75N60T , YGK20N65T2 , YGP20N65T2 , YGW20N65T2 , YGQ100N65FP , YGW10N120T3 , YGW15N120F1A , YGW15N120T3 , YGW25N120F1A1 .

History: STGW75H65DFB2-4 | SHD724602

 

 

 

 

↑ Back to Top
.