IXGD25N100 Todos los transistores

 

IXGD25N100 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGD25N100

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150

Tensión colector-emisor (Vce): 1000

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 3.5

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 25

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 500

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO254

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IXGD25N100 Datasheet (PDF)

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