Справочник IGBT. IXGD25N100

 

IXGD25N100 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IXGD25N100

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 500

Корпус: TO254

Аналог (замена) для IXGD25N100

 

 

IXGD25N100 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие IGBT... IXGA7N60B , IXGA7N60C , IXGA8N100 , IXGD10N100 , IXGD10N60 , IXGD10N60A , IXGD17N100 , IXGD20N60A , SKW30N60HS , IXGD25N120 , IXGD60N60 , IXGH10N100 , IXGH10N100A , IXGH10N100AU1 , IXGH12N100 , IXGH12N100A , IXGH12N100AU1 .

 

 
Back to Top