YGQ100N65FP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YGQ100N65FP  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 130 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 370 pF

Encapsulados: TO247-PLUS

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YGQ100N65FP datasheet

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YGQ100N65FP

YGQ100N65FP 650V /100A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 100 A C improved reliability V I =100A 1.75 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5 s Low V CEsat Easy parallel switching capabili

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