YGQ100N65FP - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YGQ100N65FP
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 500
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 200
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.75
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 130
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 370
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 135
Paquete / Cubierta: TO247-PLUS
Búsqueda de reemplazo de YGQ100N65FP - IGBT
YGQ100N65FP Datasheet (PDF)
ygq100n65fp.pdf
YGQ100N65FP 650V /100A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 100 A C improved reliability V I =100A 1.75 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capabili
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Liste
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