YGQ100N65FP Todos los transistores

 

YGQ100N65FP - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YGQ100N65FP
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 130 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 370 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 135 nC
   Paquete / Cubierta: TO247-PLUS
 

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YGQ100N65FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  cn luxin semi
 ygq100n65fp.pdf pdf_icon

YGQ100N65FP

YGQ100N65FP 650V /100A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 100 A C improved reliability V I =100A 1.75 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capabili

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History: STGW25H120DF2

 

 
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