Справочник IGBT. YGQ100N65FP

 

YGQ100N65FP Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: YGQ100N65FP
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 130 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 370 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 135 nC
   Тип корпуса: TO247-PLUS
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

YGQ100N65FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  cn luxin semi
 ygq100n65fp.pdf pdf_icon

YGQ100N65FP

YGQ100N65FP 650V /100A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 100 A C improved reliability V I =100A 1.75 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capabili

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: AUIRGS4062D1 | SGM50PA12A6BTFD

 

 
Back to Top

 


 
.