YGQ100N65FP - аналоги и описание IGBT

 

YGQ100N65FP - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: YGQ100N65FP

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 130 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 370 pF

Тип корпуса: TO247-PLUS

 Аналог (замена) для YGQ100N65FP

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

YGQ100N65FP даташит

 ..1. Size:572K  cn luxin semi
 ygq100n65fp.pdf pdf_icon

YGQ100N65FP

YGQ100N65FP 650V /100A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 100 A C improved reliability V I =100A 1.75 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5 s Low V CEsat Easy parallel switching capabili

Другие IGBT... LGM400HF65S4T1A , YGF15N65T2 , YGK15N65T2 , YGP15N65T2 , YGF20N65T2 , YGK20N65T2 , YGP20N65T2 , YGW20N65T2 , MBQ50T65FDSC , YGW10N120T3 , YGW15N120F1A , YGW15N120T3 , YGW25N120F1A1 , YGW25N120T1 , YGW25N120U2 , YGW25N135F1A , YGW40N120F2 .

History: STGW75H65DFB2-4 | SHD724602

 

 

 

 

↑ Back to Top
.