Справочник IGBT. YGQ100N65FP

 

YGQ100N65FP - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: YGQ100N65FP
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 500
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.75
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 130
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 370
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 135
   Тип корпуса: TO247-PLUS

 Аналог (замена) для YGQ100N65FP

 

 

YGQ100N65FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  cn luxin semi
 ygq100n65fp.pdf

YGQ100N65FP YGQ100N65FP

YGQ100N65FP 650V /100A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 100 A C improved reliability V I =100A 1.75 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capabili

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top