NCE40TD60BP IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCE40TD60BP
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 286 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 136 pF
Encapsulados: TO3P
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NCE40TD60BP datasheet
nce40td60bp nce40td60bt.pdf
PbFreeProduct NCE40TD60BP,NCE40TD60BT 600V, 40A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 600V Trench FSIIIGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench FSII Technology offering Very low V CE sat H
Otros transistores... NCE30TD60BD , NCE30TD60BP , NCE30TD60BT , NCE30TH60BP , NCE40TD120BT , NCE40TD120VT , NCE40TD120VTP , NCE40TD120WT , IXRH40N120 , NCE40TD60BT , NCE40TD65BT , NCE40TH60BP , NCE40TS120VTP , NCE60TD60BP , NCE60TD60BT , NCE75TD120VTP , NCE75TS120VTP .
History: IGW40N120H3 | MPBW30N65E | MPBQ75N120E | JT075N120F2MA1E | BG100B12UX3-I | AOK50B65H1 | ISL9V3036S3S
History: IGW40N120H3 | MPBW30N65E | MPBQ75N120E | JT075N120F2MA1E | BG100B12UX3-I | AOK50B65H1 | ISL9V3036S3S
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Liste
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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