NCE40TD60BP - аналоги и описание IGBT

 

NCE40TD60BP - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: NCE40TD60BP

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 286 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 136 pF

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для NCE40TD60BP

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NCE40TD60BP даташит

 ..1. Size:1817K  ncepower
 nce40td60bp.pdf pdf_icon

NCE40TD60BP

 ..2. Size:673K  ncepower
 nce40td60bp nce40td60bt.pdf pdf_icon

NCE40TD60BP

PbFreeProduct NCE40TD60BP,NCE40TD60BT 600V, 40A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 600V Trench FSIIIGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench FSII Technology offering Very low V CE sat H

 0.1. Size:1870K  ncepower
 nce40td60bpf.pdf pdf_icon

NCE40TD60BP

 4.1. Size:2012K  ncepower
 nce40td60bt.pdf pdf_icon

NCE40TD60BP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE30TD60BD , NCE30TD60BP , NCE30TD60BT , NCE30TH60BP , NCE40TD120BT , NCE40TD120VT , NCE40TD120VTP , NCE40TD120WT , IXRH40N120 , NCE40TD60BT , NCE40TD65BT , NCE40TH60BP , NCE40TS120VTP , NCE60TD60BP , NCE60TD60BT , NCE75TD120VTP , NCE75TS120VTP .

History: MPBW30N120E | ISL9V3036D3S | JT075N065GHED | IXXH50N60B3 | MPBQ50N120B | BG150B12UY3-I | SME6G30US60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.