TGPF15N60FDR Todos los transistores

 

TGPF15N60FDR - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TGPF15N60FDR
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 44 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 65 pF
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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TGPF15N60FDR Datasheet (PDF)

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TGPF15N60FDR

TGPF15N60FDRField Stop Trench IGBTFeatures 600V Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Short Circuit Withstanding Time 5s 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC QualificationApplicationsMotor Drive, Air Conditioner, Inverter, SolarDevic

Otros transistores... TGH80N65F2DR , TGH80N65F2DS , TGHP75N120F2D , TGHP75N120FDR , TGL75N120FDR , TGPF15N60FDR , TGPF20N60FDR , TGH80N65F2D2 , RJP30H2A , 1MB05-120 , 1MB05D-120 , 1MB08-120 , 1MB08D-120 , 1MB10-120 , 1MB10D-120 , 1MB15D-060 , 1MB20-060 .

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