TGPF15N60FDR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: TGPF15N60FDR  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для TGPF15N60FDR

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGPF15N60FDR даташит

 ..1. Size:874K  trinnotech
 tgpf15n60fdr.pdf pdf_icon

TGPF15N60FDR

TGPF15N60FDR Field Stop Trench IGBT Features 600V Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Short Circuit Withstanding Time 5 s 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC Qualification Applications Motor Drive, Air Conditioner, Inverter, Solar Devic

Другие IGBT... FGH60N60SMD, TGPF20N60FDR, TGH80N65F2D2, 1MB03D-120, 1MB05-120, 1MB05D-120, 1MB08-120, 1MB08D-120, 1MB10-120