STGB5H60DF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STGB5H60DF
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: GB5H60DF
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Máxima potencia disipada (Pc), W: 88
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 10
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.5
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.9
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 10.8
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 34
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 38
   Paquete / Cubierta: D2PAK

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STGB5H60DF Datasheet (PDF)

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