STGB5H60DF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGB5H60DF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: GB5H60DF
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 88 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.9 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10.8 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 34 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 38 nC
Paquete / Cubierta: D2PAK
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STGB5H60DF Datasheet (PDF)
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STGB5H60DF, STGD5H60DF STGF5H60DF, STGP5H60DFDatasheetTrench gate field-stop 600 V, 5 A high speed H series IGBTFeaturesTABTAB High-speed switching32311DPAK2 Tight parameter distributionD PAK Safe parallelingTAB Low thermal resistance Short-circuit rated3231 Ultrafast soft recovery antiparallel diode21TO-220TO-220FPAppl
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Liste
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