Справочник IGBT. STGB5H60DF

 

STGB5H60DF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGB5H60DF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GB5H60DF
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.9 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 10.8 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 38 nC
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STGB5H60DF

 

 

STGB5H60DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:862K  st
 stgb5h60df stgd5h60df stgf5h60df stgp5h60df.pdf

STGB5H60DF STGB5H60DF

STGB5H60DF, STGD5H60DF STGF5H60DF, STGP5H60DFDatasheetTrench gate field-stop 600 V, 5 A high speed H series IGBTFeaturesTABTAB High-speed switching32311DPAK2 Tight parameter distributionD PAK Safe parallelingTAB Low thermal resistance Short-circuit rated3231 Ultrafast soft recovery antiparallel diode21TO-220TO-220FPAppl

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top