STGD4M65DF2 Todos los transistores

 

STGD4M65DF2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGD4M65DF2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 68 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 6.9 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 24.8 pF
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STGD4M65DF2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1085K  st
 stgd4m65df2.pdf pdf_icon

STGD4M65DF2

STGD4M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.6 V (typ.) @ I = 4 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diode Applications Motor control Figure 1: Internal

Otros transistores... STGF3HF60HD , STGP3HF60HD , STGB40H65FB , STGB5H60DF , STGD5H60DF , STGF5H60DF , STGP5H60DF , STGB6NC60HDT4 , RJP30H1DPD , STGD6M65DF2 , STGD7NC60HT4 , STGF15M65DF2 , STGF20M65DF2 , STGF30M65DF2 , STGWA40H65FB , STGP10M65DF2 , STGP20M65DF2 .

History: XNS40N120T | ISL9V5036P3 | BSM150GB60DLC | AUIRG4BC30S-S | FF200R12KE4 | SKM400GA124D | 6MBP25VBA120-50

 

 
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