STGD4M65DF2 Todos los transistores

 

STGD4M65DF2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STGD4M65DF2

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 68 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 6.9 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 24.8 pF

Encapsulados: DPAK

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STGD4M65DF2 datasheet

 ..1. Size:1085K  st
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STGD4M65DF2

STGD4M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.6 V (typ.) @ I = 4 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diode Applications Motor control Figure 1 Internal

Otros transistores... STGF3HF60HD , STGP3HF60HD , STGB40H65FB , STGB5H60DF , STGD5H60DF , STGF5H60DF , STGP5H60DF , STGB6NC60HDT4 , SGT40N60NPFDPN , STGD6M65DF2 , STGD7NC60HT4 , STGF15M65DF2 , STGF20M65DF2 , STGF30M65DF2 , STGWA40H65FB , STGP10M65DF2 , STGP20M65DF2 .

History: NCE60TD60BP | NCE80TD60BT | IXXH100N60C3 | STGF15M65DF2 | IXSR35N120BD1 | STGB35N35LZ | SL40T65FL

 

 

 

 

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