STGD4M65DF2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGD4M65DF2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: G4M65DF2
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 68
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 8
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 6.9
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 24.8
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 15.2
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de STGD4M65DF2 - IGBT
STGD4M65DF2 Datasheet (PDF)
stgd4m65df2.pdf
STGD4M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.6 V (typ.) @ I = 4 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diode Applications Motor control Figure 1: Internal
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Liste
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