Справочник IGBT. STGD4M65DF2

 

STGD4M65DF2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGD4M65DF2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G4M65DF2
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6.9 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24.8 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 15.2 nC
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STGD4M65DF2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGD4M65DF2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1085K  st
 stgd4m65df2.pdf pdf_icon

STGD4M65DF2

STGD4M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.6 V (typ.) @ I = 4 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diode Applications Motor control Figure 1: Internal

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top

 


 
.