Справочник IGBT. STGD4M65DF2

 

STGD4M65DF2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGD4M65DF2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G4M65DF2
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 6.9 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24.8 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 15.2 nC
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STGD4M65DF2

 

 

STGD4M65DF2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1085K  st
 stgd4m65df2.pdf

STGD4M65DF2 STGD4M65DF2

STGD4M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.6 V (typ.) @ I = 4 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diode Applications Motor control Figure 1: Internal

Другие IGBT... STGF3HF60HD , STGP3HF60HD , STGB40H65FB , STGB5H60DF , STGD5H60DF , STGF5H60DF , STGP5H60DF , STGB6NC60HDT4 , RJP30H1DPD , STGD6M65DF2 , STGD7NC60HT4 , STGF15M65DF2 , STGF20M65DF2 , STGF30M65DF2 , STGWA40H65FB , STGP10M65DF2 , STGP20M65DF2 .

 

 
Back to Top