STGD4M65DF2 - аналоги и описание IGBT

 

STGD4M65DF2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGD4M65DF2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6.9 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24.8 pF

Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STGD4M65DF2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGD4M65DF2 даташит

 ..1. Size:1085K  st
 stgd4m65df2.pdf pdf_icon

STGD4M65DF2

STGD4M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.6 V (typ.) @ I = 4 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diode Applications Motor control Figure 1 Internal

Другие IGBT... STGF3HF60HD , STGP3HF60HD , STGB40H65FB , STGB5H60DF , STGD5H60DF , STGF5H60DF , STGP5H60DF , STGB6NC60HDT4 , SGT40N60NPFDPN , STGD6M65DF2 , STGD7NC60HT4 , STGF15M65DF2 , STGF20M65DF2 , STGF30M65DF2 , STGWA40H65FB , STGP10M65DF2 , STGP20M65DF2 .

History: IXSH45N120B | JT100K120F2MA1E | IXSX40N60BD1 | SPD15N65T1T0TL | SGR5N60RUF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.